一种低成本精密芯片模具光刻掩膜的制备方法
201610283114
本发明涉及一种低成本精密芯片模具光刻掩膜的制备方法，所述方法具体包括如下步骤：S1：在基板上涂覆第一层光刻胶，在所述光刻胶上覆盖一层金属箔片，在所述金属箔片上涂覆第二层光刻胶；S2：对第一、二层光刻胶进行前烘处理，借助掩膜板对第二层光刻胶进行曝光和显影；对第二层光刻胶进行后烘处理；S3：对所述金属箔片进行蚀刻，然后对第一层光刻胶进行曝光和显影，再对第一层光刻胶进行后烘处理即得精密芯片模具光刻掩膜。本发明提供的制备方法制备得到的光刻掩膜的最低线宽不低于20um，光刻胶厚度可以达到200um～300um，所得光刻掩膜能满足精密芯片加工制作的要求。
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